1.特種氣體：指那些在特定范疇中使用的, 對氣體有特別要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體制造的二元或多元混合氣。特種氣體類別繁復, 一般可區(qū)分為電子氣體、規(guī)范氣、環(huán)保氣、醫(yī)用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)學研究及確診、食品保鮮等范疇。

2. 規(guī)范氣體：規(guī)范氣體歸于規(guī)范物質(zhì)。規(guī)范物質(zhì)是高度均勻的、良好安穩(wěn)和量值)準確的測定規(guī)范, 它們具有復現(xiàn)、保存和傳遞量值的根本效果, 在物理、化學、生物與工程丈量范疇中用于校準丈量儀器和丈量進程, 點評丈量辦法的準確度和檢測實驗室的檢測才能, 斷定資料或產(chǎn)品的特性量值, 進行量 值裁定等。

3、電子氣體：半導體工業(yè)用的氣體統(tǒng)稱電子氣體。按其類別可分為純氣、高純4 _6 m+ p- _4氣和半導體特別資料氣體三大類。特別資料氣體首要用于外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體首要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的一個重要分支。

4. 外延氣體：在細心選擇的襯底上選用化學氣相淀積(CVD) 的辦法成長一層或多層資料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 首要用于外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。

5. 蝕刻氣體：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工外表如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來, 這樣便在基片外表得到所需求的成像圖形。蝕刻的根本要求是, 圖形邊際整齊, 線條清晰, 圖形改換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽維護的外表無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 一般多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻因為蝕刻方向性強、工藝控制準確、便利、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和沾污, 所以其使用規(guī)模日益廣泛。

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